КТ646Б КТ646Б Транзистор кремниевый эпитаксиально - планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные. Предназначен для применения в усилителях высокой частоты, импульсных и переключающих устройствах. Применяется для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Структура транзистора - n-p-n Постоянная рассеиваемая мощность коллектора - 1 Вт Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером - не менее 250 МГц Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера - 40 В Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора - 4 В Максимально допустимый постоянный ток коллектора - 1 А Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера - не более 10 мкА (40В) Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером - 150... 2 Емкость коллекторного перехода - не более 10 пФ Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером - не более 1,2 Ом Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте - не более 120 пс Вес – 1 г Количество в упаковке – 30 шт Изготовитель - Россия
|