КТ646Б

КТ646Б Транзистор  кремниевый эпитаксиально - планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные.

Предназначен для применения в усилителях высокой частоты, импульсных и переключающих устройствах. Применяется  для работы в электронной аппаратуре общего назначения.

Структура транзистора - n-p-n

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора - 1 Вт

Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером -  не менее 250 МГц

Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера - 40 В

Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора - 4 В

Максимально допустимый постоянный ток коллектора - 1 А

Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера - не более 10 мкА (40В)

Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером - 150... 2

Емкость коллекторного перехода - не более 10 пФ

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером - не более 1,2 Ом

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте -  не более 120 пс

Вес – 1 г

Количество в упаковке – 30 шт

Изготовитель - Россия