APT75GP120J   1200V х 128 А

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Вид монтажа       

Коммерческое обозначение       POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP

ECCN            EAR99

Продукт        IGBT Silicon Modules

Максимальная рабочая температура + 150 C

Минимальная рабочая температура   55 C

Pd - рассеивание мощности - 543 W

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. - 1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 3.3 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C - 128 A

Ток утечки затвор-эмиттер - 100 nA

Максимальное напряжение затвор-эмиттер            … +/- 20 V

Длина            - 38.2 мм

Ширина - 25.4 мм

Высота - 9.6 мм

Вес изделия - 30 г

Изготовитель - IGBT