APT75GP120J 1200V õ 128 À Ìîäóëè áèïîëÿðíûõ òðàíçèñòîðîâ ñ èçîëèðîâàííûì çàòâîðîì (IGBT) Âèä ìîíòàæà Êîììåð÷åñêîå îáîçíà÷åíèå POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP ECCN EAR99 Ïðîäóêò IGBT Silicon Modules Ìàêñèìàëüíàÿ ðàáî÷àÿ òåìïåðàòóðà + 150 C Ìèíèìàëüíàÿ ðàáî÷àÿ òåìïåðàòóðà 55 C Pd - ðàññåèâàíèå ìîùíîñòè - 543 W Íàïðÿæåíèå êîëëåêòîð-ýìèòòåð (VCEO), ìàêñ. - 1200 V Íàïðÿæåíèå íàñûùåíèÿ êîëëåêòîð-ýìèòòåð - 3.3 V Íåïðåðûâíûé êîëëåêòîðíûé òîê ïðè 25 C - 128 A Òîê óòå÷êè çàòâîð-ýìèòòåð - 100 nA Ìàêñèìàëüíîå íàïðÿæåíèå çàòâîð-ýìèòòåð … +/- 20 V Äëèíà - 38.2 ìì Øèðèíà - 25.4 ìì Âûñîòà - 9.6 ìì Âåñ èçäåëèÿ - 30 ã Èçãîòîâèòåëü - IGBT
|