Предназначен для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты и другой радиоэлектронной аппаратуры Структура - p-n-p Постоянная рассеиваемая мощность коллектора - 300 мВт Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом - 400 мВт Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой - не менее 1 МГц Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база - эмиттерб - 25 В при 0,2 кОм Максимально допустимый постоянный ток коллектора - 500 мА Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера - не более 20 мкА Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно - 60...150 Вес – 5 г Изготовитель - Россия
|