2Т808А

2Т808А Транзистор кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный.

Предназначен для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения.

Применяется для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального и общего  назначения. Корпус транзистора металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

Структура транзистора -  n-p-n;

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом - 50Вт

Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером - не менее 7,2 мГц

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер - 120 (250 имп.) В

• Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора - 4 В

Максимально допустимый постоянный ток коллектора - 10 А

Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер - 3 мА (120В)

Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером - 10... 50

Емкость коллекторного перехода - не более 500 пФ

Вес – 22 г

Изготовитель - Россия