КТ 827А

КТ827А  Транзистор  общего назначения, кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный.

Предназначен для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики и т д.

Выпускается в металлическом корпусе со стеклянным изолятором  и жёсткими выводами.

Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторителях, переключающих устройствах, электронных системах управления защиты и автоматики.

Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

Тип корпуса - КТ-9 (TO-3).

Импортный аналог: 2N6059, 2N6284, BDX63A, BDX65A, BDX67A, BDX85C, BDX87C, MJ3521, MJ4035, 2SD729H.

Структура транзистора - n-p-n;

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом -  125 Вт

Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером - не менее 4 МГц

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер -  100 В (1кОм)

Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора - 5 В

Максимально допустимый постоянный ток коллектора - 20 А

 Максимально допустимый импульсный ток коллектора -  40 А

Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер - 3 мА (100В)

Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером - 750... 18000

Емкость коллекторного перехода - не более 400 пФ

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером - не более 0,2 Ом

Вес – 20 г

Изготовитель - Россия