КТ825Г  Транзистор  общего назначения, кремниевый мезапланарный структуры p-n-p переключательный.

Предназначен для применения в усилителях, переключающих устройствах и других радиоэлектронных устройствах.

Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.

Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.

Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).

Масса транзистора не более 20,0 г.

Импортный аналог: 2N6051, 2N605, 2N6286, 2N6287, 2SB650H, BDX62A, BDX64A, BDX66A, BDX86B, BDX88B, MJ2501, MJ4031, MJ4032.:

Структура транзистора - p-n-p

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом -  125 Вт

Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером -  не менее 4 МГц

Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора - 5 В

Максимально допустимый постоянный ток коллектора - 20 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектора -  40 А

Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером -  750...18000

Емкость коллекторного перехода - не более 600 пФ

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером - не более 0,4 Ом

Вес – 20 г

Изготовитель - Россия