КТ819ГМ  Транзистор  общего назначения, кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный переключательный.

Предназначен для применения в усилителях, переключающих устройствах и других радиоэлектронных устройствах.

Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.

Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).

Импортный аналог: 2N3055E, 2N6472, 2SD843, BD183, BDW21C, BDW51B, BDW51C, BDX10, BDX95, BDY20, BDY38, BDY73.

 Структура транзистора: n-p-n

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора - 2 Вт

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом - 100 Вт

Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером - не менее 3 МГц

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер - 100 В (0,1кОм)

Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора-  5 В

Максимально допустимый постоянный ток коллектора - 15 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 20 А

Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера -  не более 1 мА (40В)

Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером - более 12

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером - не более 0,4 Ом

Вес – 20 г

Изготовитель - Россия