КТ818ГМ  Транзистор  общего назначения, кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный.

Предназначен для применения в усилителях  переключающих устройствах и других радиоэлектронных устройствах.

Выпускается в металлическом корпусе со стеклянным изолятором и жесткими выводами.

Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.

Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).

Импортный аналог - 2N6247, 2N6248, 2SB558, BDW22B, BDW22C, BDW52B, BDW52C, BDX18, SM2183, BDX96.

Структура транзистора - p-n-p

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом - 100 Вт

Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером - не менее 3 МГц

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер- 90 В (0,1кОм)

Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора - 5 В

Максимально допустимый постоянный ток коллектора - 15 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 20 А

Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера - не более 1 мА (40В)

Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 12

Емкость коллекторного перехода - не более 1000 пФ

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером -  не более 0,27 Ом

Вес – 20 г

Изготовитель - Россия