КТ3102ГМ КТ3102ГМ транзистор общего применения, кремниевый, эпитаксиально - планарный, структуры n-p-n усилительный, малой мощности, высокой частоты. Предназначен для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты и другой радиоэлектронной аппаратуре. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Структура транзистора: n-p-n Постоянная рассеиваемая мощность коллектора - 250 мВт Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера - 20 В Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора - 5 В Максимально допустимый постоянный ток коллектора - 200 мА Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера - не более 0,05 мкА (50В) Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером - 400...1000 Емкость коллекторного перехода - не более 6 пФ Коэффициент шума транзистора - не более 10 дБ на частоте 1 кГц Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте - не более 100 пс Вес – 0,3 г Упаковка – 50 шт Изготовитель - Россия
|