КТ646Б КТ646Б транзистор кремниевый эпитаксиально - планарный структуры n-p-n высокочастотный быстродействующий Предназначен для применения в усилителях высокой частоты, импульсных и переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Импортный аналог - YTS2222A, 2SC1007, MMST3904. Структура транзистора - n-p-n Постоянная рассеиваемая мощность коллектора - 1 Вт Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером - не менее 250 МГц Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера - 40 В Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора 4 В Максимально допустимый постоянный ток коллектора - 1 А; Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера - не более 10 мкА (40В) Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером - 150... 200 Емкость коллекторного перехода - не более 10 пФ Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером - не более 1,2 Ом Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте - не более 120 пс Вес – 0,9 г Изготовитель - Россия
|