Предназначен для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты  и другой радиоэлектронной аппаратуры

Структура - p-n-p

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора -  300 мВт

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом - 400 мВт

Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой - не менее 1 МГц

Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база - эмиттерб - 25 В при 0,2 кОм

Максимально допустимый постоянный ток коллектора - 500 мА

Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера - не более 20 мкА

Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно - 60...150

Вес – 5 г

Изготовитель - Россия